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设计结合的结果。许多工程师对板级 EMI 的降噪接触较多,也比较了解,而对于芯片设计中的 EMI 优化方法比较陌生。今天,我们将以一个典型的 Buck 电路为例,首先基于 EMI 模型,分析其噪声源的频谱,并以此介绍,
我们知道,电力电子系统中,半导体器件在其开关过程中会产生高 dv/dt 节点与高 di/dt 环路,这些是 EMI 产生的根本原因。
同时,由于传播路径的不同,EMI 可大致分为共模和差模噪声(可详见:汽车电子非隔离型变换器传导与辐射EMI的产生,传播与抑制)。
EMI 建模的第一步是把开关用电流源或电压源进行等效,等效之后,电路各处的电流和电压依然不变。然后能够正常的使用叠加定理来具体分析每一个源的影响。
以一个 Buck 变换器为例,在图 2(a) 中,我们将开关用电压源和电流源进行替代,由于差模电流不留经参考地,因此电路到参考地的寄生参数可以忽略。
在图 2(b) 中,个人会使用叠加定理对其分别做多元化的分析,必须要格外注意的是,当分析某一个源的影响时,其他的电压源需做短路处理,而其他的电流源需进行开路处理。由图 2(b) 可知,实际上差模电流的源可以用 Buck 上管的电流等效,而最终的等效模型可简化为图 3 的形式。
由于差模噪声是由开关电源本身运作时的状态决定的,因此,降低差模噪声的主要方法是设计合理的差模滤波器,而与芯片设计关系不大。本次分享不展开讨论。
另一方面,对于共模 EMI 噪声来说,我们大家可以通过类似的方式进行建模,图 4 展示了建模的过程。值得一提的是,对于共模噪声,由于输入、输出电容的阻抗通常远小于电路对地寄生电容的阻抗,因此在建模中,输入、输出电容可以作为短路处理。而最终的等效模型可简化为图 5 的形式。
有点工程师朋友可能会有疑惑,这个模型如此简洁,那么一些其他的电路元件是不是被忽略了呢?(比如图 6 中所示的 RC Snubber 元件)
尽管 EMI 模型是相同的,但实际上开关波形会受到外部电路的影响,而这一部分已经被包含在了噪声源 VSW中。而在电路分析中,与一个电压源并联的器件可以忽略。正因如此,我们可以看到,图 6 中的 RC Snubber 可以从最终模型中去掉。
02EMI 共模噪声源的频谱分析根据上一节的内容,我们知道对于 Buck 变换器来说,它的共模 EMI 噪声源即为开关节点的电压。
在忽略开关振荡时,Buck 开关节点电压波形可以等效为一个梯形波,如图 7(a) 所示。其中梯形波的幅值 A0即为 Buck 的输入电压,tr和 tf对应节点电压的上升和下降时间,波形的周期 T为 Buck 的开关频率 f0的倒数,d 为 Buck 电路的占空比。
如果在频域上对这个波形进行分析,我们将会得到形如图 7(b) 中的频谱,而它的包络线 /πtr(tr取上升时间和下降时间中的较小值),频谱的包络以每十倍频率 20dB 下降;而在1 /πtr后,频谱的包络以每十倍频率 40dB 下降。
0d - 0.5 。对于汽车电子来说,12V 转 5V 是一个很常见的应用,此时的占空比也比较接近 0.5,可以用这个结论帮助进行分析。
从公式(2)中,我们也可以对开关频率以及上升下降时间的影响进行量化分析。
在其他条件不变的前提下,如图 9 (a) 所示,如果开关频率提高十倍,高频 EMI 的噪声源会整体提高 20dB;而如图 9 (b) 所示,如果开关上升/下降时间变为初始值的十分之一,则高频 EMI 的噪声源也会整体提高 20dB。
因此,提高开关频率虽然有助于减小电感元件,但确实也对 EMI 提出了更高的挑战。而对于芯片设计来说,
IC 设计中优化 EMI 的方法A对开关波形振荡的优化我们知道,在实际电路中,芯片、无源元件,以及 PCB 走线都会带来一些寄生参数。而在开关过程中,这些寄生参数会造成一些振荡。图 11(a) 中展示了 Buck 变换器上管开通过程中,形成开关节点振荡的回路,其中 LLoop,IN,L
SW,HS,LSW,LS,LGND,LS为引脚到芯片内部晶片各节点的引线电感,CDS,CGD,CGS为 MOS 管的寄生电容。这个回路其实是距离芯片最近的一颗输入电容 CIN 与芯片上下管之间形成的回路。在谐振发生时,CIN 上的电压较稳定,可以近似等效为输入电压 VIN。
我们知道,Q 值越大,振荡越强烈。因此,为了从源头上减小这个振荡,我们需要做的是减小 L
在板级电路的设计上,是有一些方法来做到这点的。比如,通过在下管并联一个 RC Snubber,可以等效增大电容;或者通过增加 Bootstrap 电阻来减小开通速度,从而等效增大谐振发生时的 RFET,HS。但这些方法也有一些副作用,如增加了损耗,也增加了电路成本。
从芯片设计上进行优化的优势更明显,副作用更小。从封装技术上,相比传统的引线(a) 所示),MPS 的倒装封装技术(如图 12(b) 所示)大幅减小了封装带来的寄生电感
图 13(b) 对比了引线键合、单输入封装和倒装封装、输入分离设计的两颗芯片的噪声源频谱。从图中可见,封装的改进带来了 15dB 以上的提升。
图 14 对比了集成输入电容的开关波形,由于回路电感进一步减小,谐振频率已经在 1GHz 以上,已经超过了许多 EMI 测试的要求范围。
另外,值得一提的是,由于多级驱动实际上降低了开关速度,它对开关损耗是有一定影响的。但相比于增加 Bootstrap 电阻的方法,由于多级驱动可以动态调节开关速度,在谐振发生后,芯片可以加快管子开通速度,从而使得总开关时间仅有有限的增加,来减少过多的开关损耗。
通过抖频设计优化 EMI抖频技术能够最终靠将开关能量分散到不同的频率上,从而有效降低 EMI,这一部分在之前的分享中有详细介绍(可详见:选择合适参数进行抖频设计),因此在本文中暂略。
从开关频率的选择上,MPS 芯片支持多种开关频率的选择,部分芯片也可以开启抖频;
从封装与布线设计上,MPS 的倒装封装,对称输入设计,集成输入电容等技术能有效降低高频噪声源;
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